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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL EM004LXQBDH13IS2R |
储存器 |
8-DFN(5x6) |
卷帶(TR) |
IC RAM 4MBIT XSPI 8DFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL EM004LXQBB313IS2R |
储存器 |
24-TBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC RAM 4MBIT XSPI 24TBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL EM008LXQBB313IS1T |
储存器 |
24-TBGA(6x8) |
託盤 |
IC RAM 8MBIT XSPI/QUAD 24TBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL FEMC008GSTE9-T13-16 |
储存器 |
100-FBGA(14x18) |
託盤 |
IC FLASH 64MBIT EMMC 100FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:64Gb|記憶體組織:8G x 8|記憶體介面:eMMC_5.1|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT41K512M8DA-107 V:P TR |
储存器 |
78-FBGA(8x10.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL IS43LD32160A-25BLI-TR |
储存器 |
134-TFBGA(10x11.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT PAR 134TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR2-S4|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL W25Q40EWUXIE TR |
储存器 |
8-USON(2x3) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8USON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:800µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MX25U1633FZUI |
储存器 |
8-USON(2x3) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8USON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:80 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs,4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C1041CV33-20ZXC |
储存器 |
44-TSOP II |
袋 |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL W634GU8QB-11 TR |
储存器 |
78-VFBGA(8x10.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 4GBIT PAR 78VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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