MSL TH58NVG2S3HBAI6


產品編號	MSL TH58NVG2S3HBAI6
分類	储存器
封裝	63-BGA（9x11）
包裝方式	託盤
描述	IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA
參數	記憶體類型:非易失\|記憶體格式:閃存\|技術:FLASH - NAND（SLC）\|存儲容量:4Gb\|記憶體組織:512M x 8\|記憶體介面:並聯\|時鐘頻率:-\|寫週期時間 - 字，頁:25ns\|訪問時間:-\|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V\|工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）

產品編號

MSL TH58NVG2S3HBAI6

分類

储存器

封裝

63-BGA（9x11）

包裝方式

託盤

描述

IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA

參數

聯繫我們:

MSL FPGA INC （美國）
註冊地址：1312 17th Street Unit #2199，Denver, CO 80202
郵箱：mslus@mslsemi.com

MSL FPGA PTE .LTD.（新加坡）
註冊地址：709 Ang Mo Kio Avenue 8 #01-2591 Singapore 560709
郵箱：mslsingapore@mslsemi.com

中國美時龍技術有限公司（香港）
註冊地址：Rm A1-13, Blk A 3/F, Yee Lim Industrial Centre， 2-28 Kwai Lok Street, Kwai Chung Nt Hong Kong

郵箱：mslhk@mslsemi.com

美時龍技術（深圳）有限公司 Meishilong Technology (Shenzhen) Co., Ltd.
深圳市福田區華強北街道華航社區中航路7號鼎誠國際大廈2603M
郵箱：mslchina@mslsemi.com

Message

在線留言

储存器

储存器

聯繫我們:

在线留言