MSL NLQ26PFS-8NIT TR


產品編號	MSL NLQ26PFS-8NIT TR
分類	储存器
封裝	200-FBGA（10x14.5）
包裝方式	卷帶（TR）
描述	IC DRAM 2GBIT LVSTL 200FBGA
參數	記憶體類型:易失\|記憶體格式:DRAM\|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4\|存儲容量:2Gb\|記憶體組織:128M x 16\|記憶體介面:LVSTL\|時鐘頻率:1.2 GHz\|寫週期時間 - 字，頁:18ns\|訪問時間:3.5 ns\|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V\|工作溫度:-40°C ~ 85°C（TC）

產品編號

分類

储存器

封裝

200-FBGA（10x14.5）

包裝方式

卷帶（TR）

描述

IC DRAM 2GBIT LVSTL 200FBGA

參數

聯繫我們:

MSL FPGA INC （美國）
註冊地址：1312 17th Street Unit #2199，Denver, CO 80202
郵箱：mslus@mslsemi.com

MSL FPGA PTE .LTD.（新加坡）
註冊地址：709 Ang Mo Kio Avenue 8 #01-2591 Singapore 560709
郵箱：mslsingapore@mslsemi.com

中國美時龍技術有限公司（香港）
註冊地址：Rm A1-13, Blk A 3/F, Yee Lim Industrial Centre， 2-28 Kwai Lok Street, Kwai Chung Nt Hong Kong

郵箱：mslhk@mslsemi.com

美時龍技術（深圳）有限公司 Meishilong Technology (Shenzhen) Co., Ltd.
深圳市福田區華強北街道華航社區中航路7號鼎誠國際大廈2603M
郵箱：mslchina@mslsemi.com

Message

在線留言

储存器

储存器

聯繫我們:

在线留言