| 來自 |
產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL W958D8NBYA4I TR |
储存器 |
24-TFBGA,DDP(6x8) |
卷帶(TR) |
IC PSRAM 256MBIT HYPERBS 24TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:28 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
PDF |
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MSL W958D8NBYA4I TR |
储存器 |
24-TFBGA,DDP(6x8) |
卷帶(TR) |
IC PSRAM 256MBIT HYPERBS 24TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:28 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
PDF |
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MSL W958D6NWSX4I TR |
储存器 |
49-WFBGA(4x4) |
卷帶(TR) |
IC PSRAM 256MBIT HYPERBS 49WFBGA |
記憶體類型:-|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
PDF |
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MSL W958D6NBKX5I |
储存器 |
49-WFBGA(4x4) |
託盤 |
IC PSRAM 256MBIT HYPERBS 49WFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
PDF |
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MSL W958D6NBKX5I TR |
储存器 |
49-WFBGA(4x4) |
卷帶(TR) |
IC PSRAM 256MBIT HYPERBS 49WFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
PDF |
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MSL W958D6NBKX4I |
储存器 |
49-WFBGA(4x4) |
託盤 |
IC PSRAM 256MBIT HYPERBS 49WFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:28 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
PDF |
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MSL W958D6NBKX4I TR |
储存器 |
49-WFBGA(4x4) |
卷帶(TR) |
IC PSRAM 256MBIT HYPERBS 49WFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:28 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
PDF |
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MSL W958D6DBCX7I |
储存器 |
54-VFBGA(6x8) |
託盤 |
IC PSRAM 256MBIT PAR 54VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
PDF |
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MSL W958D6DBCX7I TR |
储存器 |
54-VFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC PSRAM 256MBIT PAR 54VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
PDF |
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MSL W958D6DBCX7I TR |
储存器 |
54-VFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC PSRAM 256MBIT PAR 54VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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