储存器

储存器

來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL IS62WV10248EBLL-45TLI-TR MSL IS62WV10248EBLL-45TLI-TR 储存器 44-TSOP II 卷帶(TR) IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT28C010-12TU-T MSL AT28C010-12TU-T 储存器 32-TSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 1MBIT PARALLEL 32TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL 0418A8ACLAA-5 MSL 0418A8ACLAA-5 储存器 119-BGA(22x14) 散裝 IC SRAM 8MBIT HSTL 119BGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 18|記憶體介面:HSTL|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TA)
MSL M25PE80-VMP6TG TR MSL M25PE80-VMP6TG TR 储存器 8-VDFPN(6x5)(MLP8) 卷帶(TR) IC FLASH 8MBIT SPI 79MHZ 8VDFPN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:79 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ms,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL LE25W81QES00-AH-1 MSL LE25W81QES00-AH-1 储存器 8-VDFN/VSONT(5x6) 卷帶(TR) IC FLASH 8MBIT SPI 30MHZ 8VDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:30 MHz|寫週期時間 - 字,頁:1ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.45V ~ 3.6V|工作溫度:-20°C ~ 70°C(TA)
MSL CY27C256-70JC MSL CY27C256-70JC 储存器 32-PLCC(13.97x11.43) 散裝 IC EPROM 256KBIT PARALLEL 32PLCC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY62128DV30LL-70ZI MSL CY62128DV30LL-70ZI 储存器 32-TSOP I IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL STK14C88-NF35 MSL STK14C88-NF35 储存器 32-SOIC 管件 IC NVSRAM 256KBIT PAR 32SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY14E256L-SZ35XC MSL CY14E256L-SZ35XC 储存器 32-SOIC 管件 IC NVSRAM 256KBIT PAR 32SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT48LC16M16A2P-7E:D TR MSL MT48LC16M16A2P-7E:D TR 储存器 54-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:14ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

在线留言

  • *
  • *
  • *
  • *
  • *
  • *为必填项