储存器

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MSL HYB18T1G800BF-3S MSL HYB18T1G800BF-3S 储存器 - 剪切帶(CT) IC DRAM 1GBIT PARALLEL 68TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL CY7C1413JV18-250BZXC MSL CY7C1413JV18-250BZXC 储存器 165-FBGA(15x17) 託盤 IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:36Mb|記憶體組織:2M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY7C1011DV33-10BVXIT MSL CY7C1011DV33-10BVXIT 储存器 48-VFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W632GU6NB09I MSL W632GU6NB09I 储存器 96-VFBGA(7.5x13) 託盤 IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.067 GHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL W632GG6NB15I MSL W632GG6NB15I 储存器 96-VFBGA(7.5x13) 託盤 IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL S70KL1282DPBHA023 MSL S70KL1282DPBHA023 储存器 24-FBGA(6x8) 卷帶(TR) IC PSRAM 128MBIT HYPERBUS 24FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:36ns|訪問時間:36 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT25QL128ABB1ESE-0AUT MSL MT25QL128ABB1ESE-0AUT 储存器 8-SO 託盤 IC FLASH 128MBIT SPI 133MHZ 8SO 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:1.8ms|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL DS2430AP+ MSL DS2430AP+ 储存器 6-TSOC 管件 IC EEPROM 256BIT 1-WIRE 6TSOC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256 比特|記憶體組織:32 x 8|記憶體介面:1-Wire®|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:15 µs|電壓 - 供電:-|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL ER5911-I/P MSL ER5911-I/P 储存器 8-PDIP 散裝 IC EEPROM 1KBIT SER 250KHZ 8DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:64 x 16,128 x 8|記憶體介面:串行|時鐘頻率:250 kHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY62256L-70SNXCT MSL CY62256L-70SNXCT 储存器 28-SOIC 散裝 IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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