储存器

储存器

來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL IS45S16800F-6CTLA1-TR MSL IS45S16800F-6CTLA1-TR 储存器 54-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MB85RC256TYPN-GS-AMEWE1 MSL MB85RC256TYPN-GS-AMEWE1 储存器 - 卷帶(TR) 256kbit FRAM 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL W631GG8NB09I TR MSL W631GG8NB09I TR 储存器 78-VFBGA(8x10.5) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SSTL_15|時鐘頻率:1.066 GHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL W631GU8NB09I TR MSL W631GU8NB09I TR 储存器 78-VFBGA(8x10.5) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.066 GHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V,1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL EMMC128-TY29-5B102 MSL EMMC128-TY29-5B102 储存器 153-FBGA(11.5x13) 託盤 IC FLASH 1TBIT EMMC 153FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(TLC)|存儲容量:1Tb|記憶體組織:128G x 8|記憶體介面:eMMC_5.1|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-25°C ~ 85°C
MSL EM016LXOBB320ES1T MSL EM016LXOBB320ES1T 储存器 24-TBGA(6x8) 託盤 IC RAM 16MBIT XSPI 24TBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:SPI - 八 I/O|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL AT25XE041D-SHN-B MSL AT25XE041D-SHN-B 储存器 8-SOIC 管件 IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms,30ms|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL GD25Q40ETEGR MSL GD25Q40ETEGR 储存器 8-SOP 卷帶(TR) IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:140µs,4ms|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL W631GU6NB09I TR MSL W631GU6NB09I TR 储存器 96-VFBGA(7.5x13) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT PAR 96VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.066 GHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V,1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL W631GG6NB09I TR MSL W631GG6NB09I TR 储存器 96-VFBGA(7.5x13) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT SSTL 15 96VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:SSTL_15|時鐘頻率:1.066 GHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)

在线留言

  • *
  • *
  • *
  • *
  • *
  • *为必填项