储存器

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MSL EM008LXOBB320ES1T MSL EM008LXOBB320ES1T 储存器 24-TBGA(6x8) 託盤 IC RAM 8MBIT XSPI 24TBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI - 八 I/O|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL SFEM020GB2ED1TB-A-CE-11P-STD MSL SFEM020GB2ED1TB-A-CE-11P-STD 储存器 153-BGA(11.5x13) 託盤 IC FLASH 160GBIT EMMC 153BGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(TLC)|存儲容量:160Gb|記憶體組織:20G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C
MSL MB85RC256TYPNF-GS-BCERE1 MSL MB85RC256TYPNF-GS-BCERE1 储存器 - 卷帶(TR) 256kbit FRAM 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL S25FL256LAGMFV003 MSL S25FL256LAGMFV003 储存器 16-SOIC 卷帶(TR) IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL CY7C1386BV25-150BGC MSL CY7C1386BV25-150BGC 储存器 119-PBGA(14x22) 散裝 IC SRAM 18MBIT PAR 119PBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:150 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.8 ns|電壓 - 供電:2.379V ~ 2.625V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY7C1387B-150BGC MSL CY7C1387B-150BGC 储存器 119-PBGA(14x22) 散裝 IC SRAM 18MBIT PAR 119PBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:18Mb|記憶體組織:1M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:150 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.8 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL GD25VQ40CTIGR MSL GD25VQ40CTIGR 储存器 8-SOP 卷帶(TR) IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD I/O 8SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL GD25VQ40CSIGR MSL GD25VQ40CSIGR 储存器 8-SOP 卷帶(TR) IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD I/O 8SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS61LV5128AL-10TLI MSL IS61LV5128AL-10TLI 储存器 44-TSOP II 託盤 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT47H128M8SH-25E:M MSL MT47H128M8SH-25E:M 储存器 60-FBGA(8x10) 託盤 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:400 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC)

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