储存器

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MSL IS25WX512M-LHLE MSL IS25WX512M-LHLE 储存器 24-TFBGA(6x8) 託盤 512MB, OCTAL FLASH, 1.8V, 24-BAL 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:SPI - 八 I/O|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:1.8ms|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL IS25WX512M-OHLE-TR MSL IS25WX512M-OHLE-TR 储存器 24-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) 512MB, OCTAL FLASH, 1.8V, 24-BAL 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:SPI - 八 I/O|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:1.8ms|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL S25FL128SAGMFV001 MSL S25FL128SAGMFV001 储存器 16-SOIC 管件 IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL W631GG8NB15I TR MSL W631GG8NB15I TR 储存器 78-VFBGA(8x10.5) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SSTL_15|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL S80KS5123GABHA023 MSL S80KS5123GABHA023 储存器 24-FBGA(6x8) 卷帶(TR) IC PSRAM 512MBIT SPI/OCTL 24FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:SPI - 八 I/O|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S80KS5122GABHA023 MSL S80KS5122GABHA023 储存器 24-FBGA(6x8) 卷帶(TR) IC PSRAM 512MBIT HYPERBUS 24FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT27C010-90PC MSL AT27C010-90PC 储存器 32-PDIP 管件 IC EPROM 1MBIT PARALLEL 32DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC)
MSL AT27C010-15PI MSL AT27C010-15PI 储存器 32-PDIP 管件 IC EPROM 1MBIT PARALLEL 32DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:150 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL W631GU8NB15I TR MSL W631GU8NB15I TR 储存器 78-VFBGA(8x10.5) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V,1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL W631GG6NB15I TR MSL W631GG6NB15I TR 储存器 96-VFBGA(7.5x13) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT SSTL 15 96VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:SSTL_15|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)

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