储存器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL S26HL512TFPBHB000 MSL S26HL512TFPBHB000 储存器 24-FBGA(6x8) 託盤 IC FLASH 512MBIT HYPERBUS 24FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:1.7ms|訪問時間:6.5 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL AS4C256M16D3LC-10BINTR MSL AS4C256M16D3LC-10BINTR 储存器 96-FBGA(7.5x13.5) 卷帶(TR) IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL SST25VF512A-33-4C-SAE MSL SST25VF512A-33-4C-SAE 储存器 8-SOIC 管件 IC FLASH 512KBIT SPI 33MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:33 MHz|寫週期時間 - 字,頁:20µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CAV24C64WE-GT3 MSL CAV24C64WE-GT3 储存器 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL CY7C1420KV18-333BZXI MSL CY7C1420KV18-333BZXI 储存器 165-FBGA(13x15) 散裝 IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II|存儲容量:36Mb|記憶體組織:1M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1420SV18-250BZXI MSL CY7C1420SV18-250BZXI 储存器 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II|存儲容量:36Mb|記憶體組織:1M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT47H64M16NF-25E:M MSL MT47H64M16NF-25E:M 储存器 84-FBGA(8x12.5) 託盤 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:400 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC)
MSL AT27C1024-70JU MSL AT27C1024-70JU 储存器 44-PLCC(16.6x16.6) 管件 IC EPROM 1MBIT PARALLEL 44PLCC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E TR MSL MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E TR 储存器 63-VFBGA(9x11) 卷帶(TR) IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL SST39VF3201-70-4C-B3KE MSL SST39VF3201-70-4C-B3KE 储存器 48-TFBGA(6x8) 託盤 IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:32Mb|記憶體組織:2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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