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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL IS66WVE2M16ECLL-70BLI |
储存器 |
48-TFBGA(6x8) |
託盤 |
IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:32Mb|記憶體組織:2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S25FS128SAGMFV100 |
储存器 |
8-SOIC |
託盤 |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL CY7C024-25AXCT |
储存器 |
100-TQFP(14x14) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:4K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL EDB8164B4PT-1D-F-R TR |
储存器 |
216-FBGA(12x12) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:8Gb|記憶體組織:128M x 64|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.95V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC) |
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MSL FEMC016GSTE9-T14-26 |
储存器 |
153-FBGA(11.5x13) |
託盤 |
IC FLASH 128GBIT EMMC 153FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:128Gb|記憶體組織:16G x 8|記憶體介面:eMMC_5.1|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS22EF16G-JCLA2 |
储存器 |
153-VFBGA(11.5x13) |
託盤 |
IC FLASH 128GBIT EMMC 153VFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:128Gb|記憶體組織:16G x 8|記憶體介面:eMMC_5.1|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL CY7C1265V18-400BZC |
储存器 |
165-FBGA(15x17) |
託盤 |
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:36Mb|記憶體組織:1M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY7C1420JV18-250BZI |
储存器 |
165-FBGA(15x17) |
託盤 |
IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II|存儲容量:36Mb|記憶體組織:1M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS45S16160J-7BLA1 |
储存器 |
54-TFBGA(8x8) |
託盤 |
IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AS4C32M16D3L-12BINTR |
储存器 |
96-FBGA(8x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 96FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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