储存器

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MSL AS4C32M16D3-12BINTR MSL AS4C32M16D3-12BINTR 储存器 96-FBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PARALLEL 96FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL CY62147GE-45ZSXIT MSL CY62147GE-45ZSXIT 储存器 44-TSOP II 卷帶(TR) IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL EMMC64G-TY29-5B102 MSL EMMC64G-TY29-5B102 储存器 153-FBGA(11.5x13) 託盤 IC FLASH 512GBIT EMMC 153FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(TLC)|存儲容量:512Gb|記憶體組織:64G x 8|記憶體介面:eMMC_5.1|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-25°C ~ 85°C
MSL D1611PM3BDGUI-U MSL D1611PM3BDGUI-U 储存器 200-FBGA(10x14.5) 託盤 IC DRAM 16GBIT PAR 200FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:16Gb|記憶體組織:1G x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.866 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC)
MSL RMLV0416EGBG-4S2#KC0 MSL RMLV0416EGBG-4S2#KC0 储存器 48-TFBGA(7.5x8.5) 卷帶(TR) IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL SST39VF1601-70-4I-B3KE-T MSL SST39VF1601-70-4I-B3KE-T 储存器 48-TFBGA 卷帶(TR) IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS61WV25616BLL-10BLI MSL IS61WV25616BLL-10BLI 储存器 48-TFBGA(6x8) 託盤 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MX29F040CQI-70G MSL MX29F040CQI-70G 储存器 32-PLCC(11.43x14.05) 託盤 IC FLASH 4MBIT PARALLEL 32PLCC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 71V424YL10PH MSL 71V424YL10PH 储存器 44-TSOP II 散裝 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 71V3576S133PF MSL 71V3576S133PF 储存器 100-TQFP(14x14) 散裝 IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.2 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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