储存器

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MSL AS4C2M32S-6BCN MSL AS4C2M32S-6BCN 储存器 90-TFBGA(8x13) 託盤 IC DRAM 64MBIT LVTTL 90TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:2M x 32|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY62128EV30LL-45ZXIT MSL CY62128EV30LL-45ZXIT 储存器 32-TSOP I 卷帶(TR) IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS22EF08G-JQLA2 MSL IS22EF08G-JQLA2 储存器 100-LFBGA(14x18) 託盤 IC FLASH 64MBIT EMMC 100FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:64Gb|記憶體組織:8G x 8|記憶體介面:eMMC_5.1|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL IS61NLF51236B-6.5TQLI MSL IS61NLF51236B-6.5TQLI 储存器 100-LQFP(14x20) 託盤 IC SRAM 18MBIT PAR 100LQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,ZBT|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:6.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W66BP2NQUAFJ TR MSL W66BP2NQUAFJ TR 储存器 200-TFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:2Gb|記憶體組織:64M x 32|記憶體介面:LVSTL_11|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL MB85RC512LYPNF-G-BCE1 MSL MB85RC512LYPNF-G-BCE1 储存器 - 管件 512kbit FRAM 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL AT25DF256-SSHNGU-B MSL AT25DF256-SSHNGU-B 储存器 8-SOIC 管件 IC FLASH 256KBIT SPI 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8µs,2.5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL S-93C56BR0I-J8T1U MSL S-93C56BR0I-J8T1U 储存器 8-SOP 卷帶(TR) IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:128 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1263KV18-400BZXI MSL CY7C1263KV18-400BZXI 储存器 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II+|存儲容量:36Mb|記憶體組織:2M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY10E474-4KCQ MSL CY10E474-4KCQ 储存器 - 散裝 1024 X 4 ECL SRAM 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-

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