储存器

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MSL IS64WV51216EEBLL-10CTLA3-TR MSL IS64WV51216EEBLL-10CTLA3-TR 储存器 44-TSOP II 卷帶(TR) IC SRAM 8MBIT PAR 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL 04184QLAD-5 MSL 04184QLAD-5 储存器 119-BGA(17x7) 散裝 IC SRAM 4MBIT HSTL 119BGA 記憶體類型:-|記憶體格式:SRAM|技術:-|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:HSTL|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:3.3V|工作溫度:-
MSL 041841QLAD-5 MSL 041841QLAD-5 储存器 119-BGA(17x7) 散裝 IC SRAM 4MBIT HSTL 119BGA 記憶體類型:-|記憶體格式:SRAM|技術:-|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:HSTL|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:3.3V|工作溫度:-
MSL 24LC64T-I/ST MSL 24LC64T-I/ST 储存器 8-TSSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 64KBIT I2C 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL M24256-DFMC6TG MSL M24256-DFMC6TG 储存器 8-UFDFPN(2x3) 卷帶(TR) IC EEPROM 256KBIT I2C 8UFDFPN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:450 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MX25L25655FXCI-10G MSL MX25L25655FXCI-10G 储存器 24-CSPBGA(6x8) 託盤 IC FLASH 256MBIT SPI 24CSPBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:30µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MX25L25655FMI-10G MSL MX25L25655FMI-10G 储存器 16-SOP 管件 IC FLASH 256MBIT SPI 16SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:30µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS42S32800G-7BL MSL IS42S32800G-7BL 储存器 90-TFBGA(8x13) 託盤 IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:8M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS45S32800J-6BLA1-TR MSL IS45S32800J-6BLA1-TR 储存器 90-TFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:8M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS64WV51216EEBLL-10CT2LA3-TR MSL IS64WV51216EEBLL-10CT2LA3-TR 储存器 48-TSOP I 卷帶(TR) IC SRAM 8MBIT PAR 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)

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