储存器

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MSL MT61K256M32JE-12:A TR MSL MT61K256M32JE-12:A TR 储存器 180-FBGA(12x14) 卷帶(TR) IC RAM 8GBIT PAR 180FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:RAM|技術:SGRAM - GDDR6|存儲容量:8Gb|記憶體組織:256M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.5 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.31V ~ 1.39V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL W25Q32FWZPIG TR MSL W25Q32FWZPIG TR 储存器 8-WSON(6x5) 卷帶(TR) IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:60µs,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT45DB081D-SU-SL383-AD MSL AT45DB081D-SU-SL383-AD 储存器 8-SOIC 卷帶(TR) IC FLASH 8MBIT SPI 66MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:8Mb|記憶體組織:264 位元組 x 4096 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:66 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL CY7C1513KV18-250BZXI MSL CY7C1513KV18-250BZXI 储存器 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:72Mb|記憶體組織:4M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL DS1258W-100# MSL DS1258W-100# 储存器 40-EDIP IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:100ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AT93C66A-10SI-2.7-T MSL AT93C66A-10SI-2.7-T 储存器 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 4KBIT 3-WIRE 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8,256 x 16|記憶體介面:3 線串口|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT25256AW-10SI-1.8-T MSL AT25256AW-10SI-1.8-T 储存器 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 256KBIT SPI 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS43DR16128C-3DBLI MSL IS43DR16128C-3DBLI 储存器 84-TWBGA(8x12.5) 託盤 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:450 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1360C-200AXCT MSL CY7C1360C-200AXCT 储存器 100-TQFP(14x20) 卷帶(TR) IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL GD5F2GQ5REYIHR MSL GD5F2GQ5REYIHR 储存器 8-WSON(6x8) 卷帶(TR) IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:512M x 4|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:80 MHz|寫週期時間 - 字,頁:600µs|訪問時間:11 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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