储存器

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MSL CHD1616LVB-70Z MSL CHD1616LVB-70Z 储存器 - 散裝 16-MB (1M X 16) PSUEDO SRAM 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL CHD1616LVB-70 MSL CHD1616LVB-70 储存器 - 散裝 16-MB (1M X 16) PSUEDO SRAM 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL 24AA044T-E/SN MSL 24AA044T-E/SN 储存器 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:256 x 8 x 2|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL 24AA044-E/SN MSL 24AA044-E/SN 储存器 8-SOIC 管件 IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:256 x 8 x 2|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL MX66L51255FXDI-10G MSL MX66L51255FXDI-10G 储存器 24-CSPBGA(6x8) 託盤 IC FLASH 512MBIT SPI 24CSPBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:-|存儲容量:512Mb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL MX66L51255FXCI-10G MSL MX66L51255FXCI-10G 储存器 24-CSPBGA(6x8) 託盤 IC FLASH 512MBIT SPI 24CSPBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:-|存儲容量:512Mb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL MX29GL128FUXFI-11G MSL MX29GL128FUXFI-11G 储存器 64-LFBGA,CSP(11x13) 託盤 IC FLSH 128MBIT PARALLEL 64LFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:110ns|訪問時間:110 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MX29GL640ELXFI-70G MSL MX29GL640ELXFI-70G 储存器 64-LFBGA,CSP(11x13) 託盤 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64LFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S25FS064SAGNFV030 MSL S25FS064SAGNFV030 储存器 8-LGA(5x6) 散裝 IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8LGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL S27KL0641DABHB023 MSL S27KL0641DABHB023 储存器 24-FBGA(6x8) 卷帶(TR) IC PSRAM 64MBIT PAR 24FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:40 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)

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