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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL 24AA256T-E/MS |
储存器 |
8-MSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 256KBIT I2C 8MSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL 25AA128T-I/SM |
储存器 |
8-SOIJ |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 128KBIT SPI 8SOIJ |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL TH58BVG3S0HTA00 |
储存器 |
48-TSOP I |
託盤 |
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:8Gb|記憶體組織:1G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL TH58NVG3S0HTA00 |
储存器 |
48-TSOP I |
託盤 |
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:8Gb|記憶體組織:1G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY27C010-70ZC |
储存器 |
32-TSOP I |
散裝 |
IC EPROM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL HN58X2432FPI#S4 |
储存器 |
- |
散裝 |
TWO-WIRE SERIAL INTERFACE 32K EE |
記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL S29AL016J70TFI010 |
储存器 |
48-TSOP |
託盤 |
FLASH - NOR 16MBIT 1M X 16, 2M X |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16,2M x 8|記憶體介面:CFI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns,150µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY62128DV30LL-55ZXIT |
储存器 |
32-TSOP I |
散裝 |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 24LC01BHT-E/MNY |
储存器 |
8-TDFN(2x3) |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8TDFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL 24LC01BT-E/MNY |
储存器 |
8-TDFN(2x3) |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8TDFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:3.5 µs|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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