储存器

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MSL AS4C32M16SB-6TINTR MSL AS4C32M16SB-6TINTR 储存器 54-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1355C-133AXC MSL CY7C1355C-133AXC 储存器 100-TQFP(14x20) 託盤 IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:6.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS43DR81280B-25DBL MSL IS43DR81280B-25DBL 储存器 60-TWBGA(8x10.5) 託盤 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:400 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL N25Q00AA13G1240F TR MSL N25Q00AA13G1240F TR 储存器 24-LPBGA(6x8) 卷帶(TR) IC FLASH 1GBIT SPI 24LPBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:256M x 4|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8ms,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL NM27C020V120 MSL NM27C020V120 储存器 32-PLCC(14x11.46) 管件 IC EPROM 2MBIT PARALLEL 32PLCC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR MSL IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR 储存器 54-VFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL M24256-BRMN6P MSL M24256-BRMN6P 储存器 8-SOIC 管件 IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:450 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CAT93C86VI-GT3 MSL CAT93C86VI-GT3 储存器 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 16KBIT MICROWIRE 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8,1K x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS42S32400B-7BL-TR MSL IS42S32400B-7BL-TR 储存器 90-TFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:4M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT45W4MW16PFA-85 WT TR MSL MT45W4MW16PFA-85 WT TR 储存器 48-VFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 48VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:85ns|訪問時間:85 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC)

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