储存器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL AT24C04C-PUM MSL AT24C04C-PUM 储存器 8-PDIP 管件 IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:550 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 93LC86C-I/SN MSL 93LC86C-I/SN 储存器 8-SOIC 管件 IC EEPROM 16KBIT MICROWIRE 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8,1K x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT41K1G4RH-107:E TR MSL MT41K1G4RH-107:E TR 储存器 78-FBGA(9x10.5) 卷帶(TR) IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:4Gb|記憶體組織:1G x 4|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL IS43LD32320C-25BLI-TR MSL IS43LD32320C-25BLI-TR 储存器 134-TFBGA(10x11.5) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR2-S4|存儲容量:1Gb|記憶體組織:32M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL 041841QLAD-4 MSL 041841QLAD-4 储存器 119-BGA(17x7) 散裝 IC SRAM 4MBIT HSTL 119BGA 記憶體類型:-|記憶體格式:SRAM|技術:-|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:HSTL|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:3.3V|工作溫度:-
MSL CY7C04314BV-133BGC MSL CY7C04314BV-133BGC 储存器 272-PBGA(27x27) 散裝 IC SRAM 288KBIT PAR 272PBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 四端口,同步|存儲容量:288Kb|記憶體組織:16K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 24LC08BHT-I/ST MSL 24LC08BHT-I/ST 储存器 8-TSSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 8KBIT I2C 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:256 x 8 x 4|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 24LC08BHT-I/MS MSL 24LC08BHT-I/MS 储存器 8-MSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ 8MSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:256 x 8 x 4|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL PC28F256P30TFE MSL PC28F256P30TFE 储存器 64-EasyBGA(10x13) 託盤 IC FLASH 256MBIT CFI 64EASYBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(MLC)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:CFI|時鐘頻率:52 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS61LPS12836EC-200B3LI-TR MSL IS61LPS12836EC-200B3LI-TR 储存器 165-TFBGA(13x15) 卷帶(TR) IC SRAM 4.5MBIT PAR 165TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.1 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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