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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL AT24C04C-PUM |
储存器 |
8-PDIP |
管件 |
IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8DIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:550 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 93LC86C-I/SN |
储存器 |
8-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 16KBIT MICROWIRE 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8,1K x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT41K1G4RH-107:E TR |
储存器 |
78-FBGA(9x10.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:4Gb|記憶體組織:1G x 4|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL IS43LD32320C-25BLI-TR |
储存器 |
134-TFBGA(10x11.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR2-S4|存儲容量:1Gb|記憶體組織:32M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL 041841QLAD-4 |
储存器 |
119-BGA(17x7) |
散裝 |
IC SRAM 4MBIT HSTL 119BGA |
記憶體類型:-|記憶體格式:SRAM|技術:-|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:HSTL|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:3.3V|工作溫度:- |
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MSL CY7C04314BV-133BGC |
储存器 |
272-PBGA(27x27) |
散裝 |
IC SRAM 288KBIT PAR 272PBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 四端口,同步|存儲容量:288Kb|記憶體組織:16K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 24LC08BHT-I/ST |
储存器 |
8-TSSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 8KBIT I2C 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:256 x 8 x 4|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 24LC08BHT-I/MS |
储存器 |
8-MSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ 8MSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:256 x 8 x 4|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL PC28F256P30TFE |
储存器 |
64-EasyBGA(10x13) |
託盤 |
IC FLASH 256MBIT CFI 64EASYBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(MLC)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:CFI|時鐘頻率:52 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS61LPS12836EC-200B3LI-TR |
储存器 |
165-TFBGA(13x15) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 165TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.1 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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