储存器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL AT93C46D-PU MSL AT93C46D-PU 储存器 8-PDIP 管件 IC EEPROM 1KBIT 3-WIRE 2MHZ 8DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8,64 x 16|記憶體介面:3 線串口|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 24AA64F-I/SN MSL 24AA64F-I/SN 储存器 8-SOIC 管件 IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL DS2502-E64+ MSL DS2502-E64+ 储存器 TO-92-3 散裝 IC EPROM 1KBIT 1-WIRE TO92-3 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:1-Wire®|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.8V ~ 6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL R1LP5256ESA-5SI#B1 MSL R1LP5256ESA-5SI#B1 储存器 28-TSOP I 託盤 IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 04184ARLAC-5N MSL 04184ARLAC-5N 储存器 - 散裝 IC SRAM 4MBIT 記憶體類型:-|記憶體格式:SRAM|技術:-|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL CY7C1370KV33-200AXI MSL CY7C1370KV33-200AXI 储存器 100-TQFP(14x20) 託盤 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY62147GE30-45ZSXI MSL CY62147GE30-45ZSXI 储存器 44-TSOP II 託盤 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY62256VL-70SNC MSL CY62256VL-70SNC 储存器 28-SOIC 散裝 IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AS6C4008-70SANTR MSL AS6C4008-70SANTR 储存器 32-SOP 卷帶(TR) IC SRAM 4MBIT PAR 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR MSL MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR 储存器 200-WFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 4GBIT 1.6GHZ 200WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:4Gb|記憶體組織:128M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)

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