储存器

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MSL IS43R16320D-6BL-TR MSL IS43R16320D-6BL-TR 储存器 60-TFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS61WV10248EEBLL-10B2LI-TR MSL IS61WV10248EEBLL-10B2LI-TR 储存器 48-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC SRAM 8MBIT PAR 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT29F4G01ABAFDWB-IT:F TR MSL MT29F4G01ABAFDWB-IT:F TR 储存器 8-UPDFN(8x6)(MLP8) 卷帶(TR) IC FLASH 4GBIT SPI 8UPDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:4Gb|記憶體組織:4G x 1|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS61WV25616BLL-10TLI-TR MSL IS61WV25616BLL-10TLI-TR 储存器 44-TSOP II 卷帶(TR) IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT53E384M32D2DS-046 WT:E TR MSL MT53E384M32D2DS-046 WT:E TR 储存器 200-WFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 12GBIT 2.133GHZ 200WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:12Gb|記憶體組織:384M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC)
MSL S26HS512TGABHB013 MSL S26HS512TGABHB013 储存器 24-FBGA(8x8) 卷帶(TR) IC FLASH 512MBIT HYPERBUS 24FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:1.7ms|訪問時間:5.45 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL 0436A86QLAB-4 MSL 0436A86QLAB-4 储存器 - 散裝 IC SRAM 8MBIT 記憶體類型:-|記憶體格式:SRAM|技術:-|存儲容量:8Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL 0418A4ACLAA-4F MSL 0418A4ACLAA-4F 储存器 119-BGA(22x14) 散裝 IC SRAM 4MBIT HSTL 119BGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:HSTL|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.3 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TA)
MSL CY62128DV30L-70SI MSL CY62128DV30L-70SI 储存器 32-SOIC 散裝 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY62136VLL-70ZSXET MSL CY62136VLL-70ZSXET 储存器 44-TSOP II 散裝 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)

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