储存器

储存器

來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL 0436A4ACLAA-4F MSL 0436A4ACLAA-4F 储存器 119-BGA(22x14) 散裝 IC SRAM 4MBIT HSTL 119BGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:4Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:HSTL|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.3 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TA)
MSL DS1249W-100IND MSL DS1249W-100IND 储存器 32-EDIP 管件 IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:100ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS46R16320D-6BLA2 MSL IS46R16320D-6BLA2 储存器 60-TFBGA(8x13) 託盤 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL M30042040108X0PWAR MSL M30042040108X0PWAR 储存器 8-DFN(5x6) 卷帶(TR) IC RAM 4MBIT 108MHZ 8DFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:1M x 4|記憶體介面:-|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C
MSL AS6C6264-55PIN MSL AS6C6264-55PIN 储存器 28-PDIP 管件 IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S25FS256TDPBHI113 MSL S25FS256TDPBHI113 储存器 24-FBGA(6x8) 卷帶(TR) IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 24BGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:80 MHz|寫週期時間 - 字,頁:2.3ms|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS43R16800A-5TL-TR MSL IS43R16800A-5TL-TR 储存器 66-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.5V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS42S32200C1-7T-TR MSL IS42S32200C1-7T-TR 储存器 86-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:2M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.45V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS61WV51216EEBLL-10BLI-TR MSL IS61WV51216EEBLL-10BLI-TR 储存器 48-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR MSL IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR 储存器 48-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

在线留言

  • *
  • *
  • *
  • *
  • *
  • *为必填项