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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL EDW2032BBBG-50-F-R TR |
储存器 |
170-FBGA(12x14) |
卷帶(TR) |
IC RAM 2GBIT PAR 1.25GHZ 170FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:RAM|技術:SGRAM - GDDR5|存儲容量:2Gb|記憶體組織:64M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.25 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.31V ~ 1.65V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL 25AA02UIDT-I/OT |
储存器 |
SOT-23-6 |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 2KBIT SPI SOT23-6 |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL M24128-BFMC6TG |
储存器 |
8-UFDFPN(2x3) |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 128KBIT I2C 8UFDFPN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:450 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT29F8G08ABABAWP-ITX:B TR |
储存器 |
48-TSOP I |
卷帶(TR) |
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:8Gb|記憶體組織:1G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C024-55AXCT |
储存器 |
100-TQFP(14x14) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:4K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL TH58NVG2S3HTA00 |
储存器 |
48-TSOP I |
託盤 |
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MX25U25645GMI54 |
储存器 |
16-SOP |
管件 |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16-SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:64M x 4,128M x 2,256M x 1|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:60µs,790µs|訪問時間:4 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C1412BV18-200BZXC |
储存器 |
165-FBGA(15x17) |
託盤 |
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:36Mb|記憶體組織:2M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY7C1420BV18-200BZC |
储存器 |
165-FBGA(15x17) |
託盤 |
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II|存儲容量:36Mb|記憶體組織:1M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL M25P80-VMN3TPB |
储存器 |
8-SO |
卷帶(TR) |
IC FLASH 8MBIT SPI 79MHZ 8SO |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:79 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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