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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL DS1249AB-100 |
储存器 |
32-EDIP |
管件 |
IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:100ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:4.79V ~ 5.25V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY7C1440KV25-250BZXI |
储存器 |
165-FBGA(15x17) |
託盤 |
IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:36Mb|記憶體組織:1M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:2.6 ns|電壓 - 供電:2.379V ~ 2.625V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL N25S830HAT22IT |
储存器 |
8-TSSOP |
卷帶(TR) |
IC SRAM 256KBIT SPI 20MHZ 8TSSOP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL BR93A86RFJ-WME2 |
储存器 |
8-SOP-J |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 16KBIT MICROWIRE 8SOPJ |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:1K x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL NV24C64DWVLT3G |
储存器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL MX25V2033FZUI |
储存器 |
8-USON(2x3) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 2MBIT SPI/QUAD 8USON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:80 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,10ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT41K256M16HA-107 IT:E TR |
储存器 |
96-FBGA(9x14) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL IS25WP512M-RHLA3-TR |
储存器 |
24-TFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC FLSH 512MBIT SPI/QUAD 24TFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:112 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,1ms|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL IS43TR16128DL-107MBL-TR |
储存器 |
96-TWBGA(9x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL CG10218AAT |
储存器 |
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卷帶(TR) |
IC FRAM |
記憶體類型:-|記憶體格式:FRAM|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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