储存器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL 93C66CT-I/MS MSL 93C66CT-I/MS 储存器 8-MSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 4KBIT MICROWIRE 8MSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8,256 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:2ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS42S32800B-7BI-TR MSL IS42S32800B-7BI-TR 储存器 90-LFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PAR 90LFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:8M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AS4C512M8D3LC-10BAN MSL AS4C512M8D3LC-10BAN 储存器 78-FBGA(7.5x10.6) 託盤 IC DRAM 4GBIT POD 78FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:POD|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL CAT93C66VI-GT3 MSL CAT93C66VI-GT3 储存器 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 4KBIT MICROWIRE 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8,256 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT25SF081B-SSHD-T MSL AT25SF081B-SSHD-T 储存器 8-SOIC 卷帶(TR) IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,2.4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL MB85RS512LYPN-GS-AME1 MSL MB85RS512LYPN-GS-AME1 储存器 - 管件 512kbit FRAM 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL MB85RS512TYPN-GS-AME1 MSL MB85RS512TYPN-GS-AME1 储存器 - 管件 512kbit FRAM 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL MB85RC512LYPN-GS-AME1 MSL MB85RC512LYPN-GS-AME1 储存器 - 管件 512kbit FRAM 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL CY7C11501KV18-400BZXC MSL CY7C11501KV18-400BZXC 储存器 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II+|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY7C1911JV18-300BZC MSL CY7C1911JV18-300BZC 储存器 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:2M x 9|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:300 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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