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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL 24LC024T/ST |
储存器 |
8-TSSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 2KBIT I2C 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 24C02CT/ST |
储存器 |
8-TSSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 2KBIT I2C 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:1.5ms|訪問時間:3.5 µs|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS21EF08G-JQLI-TR |
储存器 |
100-LFBGA(14x18) |
卷帶(TR) |
8GB, 100 BALL FBGA, 3.3V, ROHS, |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:64Gb|記憶體組織:8G x 8|記憶體介面:eMMC_5.1|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS21EF08G-JCLI-TR |
储存器 |
153-VFBGA(11.5x13) |
卷帶(TR) |
8GB, 153 BALL FBGA, 3.3V, ROHS, |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:64Gb|記憶體組織:8G x 8|記憶體介面:eMMC_5.1|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT24C32D-SSHM-T |
储存器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:32Kb|記憶體組織:4K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:550 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT25080B-SSHL-T |
储存器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 8KBIT SPI 20MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL NM93CS46M |
储存器 |
14-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 14SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:64 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT29F2G01ABAGDM79A3WC1L |
储存器 |
模具 |
散裝 |
IC FLASH 2GBIT SPI DIE |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:2Gb|記憶體組織:2G x 1|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL BR25H640FVM-2ACTR |
储存器 |
8-MSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 64KBIT SPI 10MHZ 8MSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL AT45DB041E-SHNHA-T |
储存器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:264 位元組 x 2048 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:85 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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