| 來自 |
產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL AT34C02BY5-10YU-1.7 |
储存器 |
8-DFN(2x3) |
散裝 |
IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8DFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 24CS512-E/SM |
储存器 |
8-SOIJ |
管件 |
IC EEPROM 512KBIT I2C 8SOIJ |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:3.4 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL 24CS512T-E/SM |
储存器 |
8-SOIJ |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 512KBIT I2C 8SOIJ |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:3.4 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL 93LC76T/SN |
储存器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 8KBIT MICROWIRE 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8,512 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 6.0V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 93AA86/SN |
储存器 |
8-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 16KBIT MICROWIRE 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8,1K x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL S70FL01GSDPMFI013 |
储存器 |
16-SOIC |
卷帶(TR) |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:66 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS46LR32160C-6BLA2-TR |
储存器 |
90-TFBGA(8x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL IS61LV5128AL-10BI-TR |
储存器 |
36-迷你型BGA(8x10) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36MINIBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AS6C4016-55BINTR |
储存器 |
48-TFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL BR25H640FJ-2ACE2 |
储存器 |
8-SOP-J |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 64KBIT SPI 10MHZ 8SOPJ |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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