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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL 71V3559S79PFG |
储存器 |
100-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL AT28HC256E-12PI |
储存器 |
28-PDIP |
管件 |
IC EEPROM 256KBIT PARALLEL 28DIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL AT45DB021E-SHN2B-T |
储存器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC FLASH 2MBIT SPI 70MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256 位元組 x 1024 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:70 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL 23A256-I/ST |
储存器 |
8-TSSOP |
管件 |
IC SRAM 256KBIT SPI 20MHZ 8TSSOP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS46LQ16128AL-062TBLA2 |
储存器 |
200-TFBGA(10x14.5) |
散裝 |
IC DRAM 2GBIT LVSTL 200TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:LVSTL|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL AS7C38098A-10TINTR |
储存器 |
44-TSOP2 |
卷帶(TR) |
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP2 |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 70T3509MS133BPG |
储存器 |
256-CABGA(17x17) |
託盤 |
IC SRAM 36MBIT PAR 256CABGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:36Mb|記憶體組織:1M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.2 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 2.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL FEMC512GBE-E530 |
储存器 |
100-FBGA(14x18) |
託盤 |
IC FLASH 4TBIT EMMC 5.1 100FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(TLC)|存儲容量:4Tb|記憶體組織:512G x 8|記憶體介面:eMMC_5.1|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C |
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MSL CY7C1170V18-400BZC |
储存器 |
165-FBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY7C13201KV18-300BZXC |
储存器 |
165-FBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:300 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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