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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL SM662GXE BFSS |
储存器 |
100-BGA(14x18) |
託盤 |
IC FLASH 640GBIT EMMC 100BGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:640Gb|記憶體組織:80G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-25°C ~ 85°C |
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MSL SM662GXE BFST |
储存器 |
100-BGA(14x18) |
託盤 |
IC FLASH 2TBIT EMMC 100BGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(TLC)|存儲容量:2Tb|記憶體組織:256G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-25°C ~ 85°C |
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MSL AS25F304MD-10S1INR |
储存器 |
8-SOP |
卷帶(TR) |
IC FLASH 4MBIT SPI/DUAL 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:2M x 2,4M x 1|記憶體介面:SPI - 雙 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:79µs,2ms|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 24AA256T/SM |
储存器 |
8-SOIJ |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 256KBIT I2C 8SOIJ |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL AT27BV4096-15JC |
储存器 |
44-PLCC(16.6x16.6) |
管件 |
IC EPROM 4MBIT PARALLEL 44PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:150 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V,4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC) |
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MSL MR10Q010SC |
储存器 |
16-SOIC |
託盤 |
IC RAM 1MBIT SPI/QUAD 16SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:40 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL SM662PXE BFST |
储存器 |
153-BGA(11.5x13) |
託盤 |
IC FLASH 2TBIT EMMC 153BGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(TLC)|存儲容量:2Tb|記憶體組織:256G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-25°C ~ 85°C |
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MSL SM662PXE BFSS |
储存器 |
153-BGA(11.5x13) |
託盤 |
IC FLASH 640GBIT EMMC 153BGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:640Gb|記憶體組織:80G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-25°C ~ 85°C |
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MSL CY7C1414KV18-300BZXI |
储存器 |
165-FBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:36Mb|記憶體組織:1M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:300 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S3R6416R1M-XI70T |
储存器 |
48-FBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
MRAM MEMORY IC 64MBIT PPI 1.8V 7 |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:PPI - 並行|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.71V ~ 1.98V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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