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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL 93LC66B-I/SN |
储存器 |
8-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 4KBIT MICROWIRE 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:256 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:6ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL BR25H128NUX-5ACTR |
储存器 |
VSON008X2030 |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 128KBIT SPI 8VSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3.5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL BR24H128FJ-5ACE2 |
储存器 |
8-SOP-J |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 128KBIT I2C 8SOPJ |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3.5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL CY7B145-35JC |
储存器 |
68-PLCC(24.23x24.23) |
散裝 |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 68PLCC |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 9|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY7C09289V-12AXC |
储存器 |
100-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:50 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL GS8161Z36DGD-333I |
储存器 |
165-FPBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FPBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,ZBT|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V,3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY14B104NA-ZS20XI |
储存器 |
44-TSOP II |
託盤 |
IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C1356C-250AXCT |
储存器 |
100-TQFP(14x20) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 9MBIT PAR 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:512K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:2.8 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY7C1363C-133AJXI |
储存器 |
100-TQFP(14x20) |
託盤 |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:512K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:6.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS43DR16160A-3DBI-TR |
储存器 |
84-TWBGA(8x12.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:450 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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