储存器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL CY14B256LA-SZ25XI MSL CY14B256LA-SZ25XI 储存器 32-SOIC 管件 IC NVSRAM 256KBIT PAR 32SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL N25Q032A11EF640F TR MSL N25Q032A11EF640F TR 储存器 8-VDFPN(6x5)(MLP8) 卷帶(TR) IC FLASH 32MBIT SPI 8VDFPN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:8M x 4|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8ms,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL N25Q032A13EF640F TR MSL N25Q032A13EF640F TR 储存器 8-VDFN(6x5) 卷帶(TR) IC FLASH 32MBIT SPI 108MHZ 8VDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:8M x 4|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8ms,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL SST25VF512A-33-4C-QAE-T MSL SST25VF512A-33-4C-QAE-T 储存器 8-WSON 卷帶(TR) IC FLASH 512KBIT SPI 33MHZ 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:33 MHz|寫週期時間 - 字,頁:20µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL BR93A76RFVT-WME2 MSL BR93A76RFVT-WME2 储存器 8-TSSOP-B 卷帶(TR) IC EEPROM 8KBIT SPI 2MHZ 8TSSOPB 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:512 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL IS46LQ16256BL-053BLA2 MSL IS46LQ16256BL-053BLA2 储存器 200-VFBGA(10x14.5) 託盤 AUTOMOTIVE (TC: -40 TO +105C), 4 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:LVSTL|時鐘頻率:1.866 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL CY62157ELL-55BVXET MSL CY62157ELL-55BVXET 储存器 48-VFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL FEMC032GBA-T740 MSL FEMC032GBA-T740 储存器 153-FBGA(11.5x13) 託盤 IC FLSH 256GBIT EMMC 5.1 153FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(TLC)|存儲容量:256Gb|記憶體組織:32G x 8|記憶體介面:eMMC_5.1|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C
MSL IS43TR16512BL-107MBL MSL IS43TR16512BL-107MBL 储存器 96-TWBGA(10x14) 託盤 IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:8Gb|記憶體組織:512M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL DS1330YP-70+ MSL DS1330YP-70+ 储存器 34-PowerCap 模块 託盤 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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