储存器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL 24AA025UID-I/SN MSL 24AA025UID-I/SN 储存器 8-SOIC 管件 IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:128 x 8 x 2|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AF008GEC5A-2001EX MSL AF008GEC5A-2001EX 储存器 153-BGA(11.5x13) 託盤 IC FLASH 64GBIT EMMC 153BGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(pSLC)|存儲容量:64Gb|記憶體組織:8G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-40°C ~ 105°C
MSL FEMC032GBG-T340 MSL FEMC032GBG-T340 储存器 153-FBGA(11.5x13) 託盤 IC FLASH 256GBIT EMMC 153FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(TLC)|存儲容量:256Gb|記憶體組織:32G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-25°C ~ 85°C
MSL R1EX24016ASA00I#S0 MSL R1EX24016ASA00I#S0 储存器 - 散裝 EEPROM, 2KX8, SERIAL 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL R1EX24016ATA00I#S0 MSL R1EX24016ATA00I#S0 储存器 - 散裝 EEPROM, 2KX8, SERIAL 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL FEMC002GTTG7-T24-17 MSL FEMC002GTTG7-T24-17 储存器 153-FBGA(11.5x13) 託盤 IC FLASH 16GBIT EMMC 153FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(pSLC)|存儲容量:16Gb|記憶體組織:2G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-25°C ~ 85°C
MSL FEMC008GCG-T340 MSL FEMC008GCG-T340 储存器 153-FBGA(11.5x13) 託盤 IC FLASH 64GBIT EMMC 153FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(pSLC)|存儲容量:64Gb|記憶體組織:8G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-25°C ~ 85°C
MSL CY7C1051H30-10BV1XE MSL CY7C1051H30-10BV1XE 储存器 48-VFBGA(6x8) 託盤 IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL CY7C1314CV18-250BZC MSL CY7C1314CV18-250BZC 储存器 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL W63AH6NBVACI MSL W63AH6NBVACI 储存器 178-VFBGA(11x11.5) 託盤 IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR3|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)

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