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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL MX25U1633FM2I03 |
储存器 |
8-SOP |
管件 |
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:80 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs,4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 93LC46BT-I/MS |
储存器 |
8-MSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8MSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:64 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:6ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 24C02C/SN |
储存器 |
8-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:1.5ms|訪問時間:3.5 µs|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY7C1315CV18-250BZXC |
储存器 |
165-FBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY7C019V-20AXI |
储存器 |
100-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 1.152MBIT PAR 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:1.152Mb|記憶體組織:128K x 9|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL AT45DB021E-MHN2B-T |
储存器 |
8-UDFN(5x6) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 2MBIT SPI 70MHZ 8UDFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:2Mb|記憶體組織:264 位元組 x 1024 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:70 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL AT25DF081A-SSH-B |
储存器 |
8-SOIC |
管件 |
IC FLASH 8MBIT SPI 100MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:8Mb|記憶體組織:256 位元組 x 4096 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:7µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL W25Q32JVSFIQ |
储存器 |
16-SOIC |
管件 |
IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 16SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL M25P40-VMN6TP TR |
储存器 |
8-SO |
卷帶(TR) |
IC FLASH 4MBIT SPI 50MHZ 8SO |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:50 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ms,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR |
储存器 |
200-WFBGA(10x14.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 4GBIT 1.866GHZ 200WFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:4Gb|記憶體組織:128M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:1.866 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TC) |
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