储存器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL DS2045AB-70# MSL DS2045AB-70# 储存器 256-BGA(27x27) 託盤 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 256BGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.79V ~ 5.25V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT25040AN-10SI-2.7-T MSL AT25040AN-10SI-2.7-T 储存器 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 4KBIT SPI 20MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL RM24EP32B-BSNC-T MSL RM24EP32B-BSNC-T 储存器 8-SOIC 卷帶(TR) IC CBRAM 32KBIT I2C 1MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:CBRAM®|技術:CBRAM|存儲容量:32Kb|記憶體組織:32 位元組頁大小|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AT25040B-SSHL-T MSL AT25040B-SSHL-T 储存器 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 4KBIT SPI 20MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 24AA024T-I/SN MSL 24AA024T-I/SN 储存器 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CAT24C208WI-GT3 MSL CAT24C208WI-GT3 储存器 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:256 x 8 x 4|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S25FL064P0XBHI020 MSL S25FL064P0XBHI020 储存器 24-BGA(8x6) 託盤 IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 24BGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL DS2045AB-100# MSL DS2045AB-100# 储存器 256-BGA(27x27) 託盤 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 256BGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:100ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:4.79V ~ 5.25V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL DS2045Y-100# MSL DS2045Y-100# 储存器 256-BGA(27x27) 託盤 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 256BGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:100ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT53E512M32D2NP-053 RS WT:H MSL MT53E512M32D2NP-053 RS WT:H 储存器 200-WFBGA(10x14.5) IC DRAM 16GBIT 200WFBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:16Gb|記憶體組織:512M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-

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