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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL 25LC320AT-I/MS |
储存器 |
8-MSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 32KBIT SPI 10MHZ 8MSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:32Kb|記憶體組織:4K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 25AA320AT-I/MS |
储存器 |
8-MSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 32KBIT SPI 10MHZ 8MSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:32Kb|記憶體組織:4K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL M24C32-DRMN8TP/K |
储存器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:32Kb|記憶體組織:4K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:450 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL 93LC46BT-I/ST |
储存器 |
8-TSSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:64 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:6ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL W71NW11GE1EW |
储存器 |
121-WFBGA(8x8) |
託盤 |
IC FLASH RAM 1GBIT 121WFBGA |
記憶體類型:非易失性,易失性|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:FLASH - NAND,DRAM - LPDDR2|存儲容量:1Gb(NAND),512Mb(LPDDR2)|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C1334H-166AXC |
储存器 |
100-TQFP(14x20) |
託盤 |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:2Mb|記憶體組織:64K x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 25LC320AT-I/ST |
储存器 |
8-TSSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 32KBIT SPI 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:32Kb|記憶體組織:4K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL BR24G128FVM-3AGTTR |
储存器 |
8-MSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 128KBIT I2C 8MSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS43LD32128B-25BLI-TR |
储存器 |
134-TFBGA(10x11.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 4GBIT HSUL 134TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR2-S4|存儲容量:4Gb|記憶體組織:128M x 32|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL IS61WV51216EDALL-20BLI-TR |
储存器 |
48-TFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2.2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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