储存器

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MSL 24AA02E64T-E/OT MSL 24AA02E64T-E/OT 储存器 SOT-23-5 卷帶(TR) IC EEPROM 2KBIT I2C SOT23-5 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL BR25S320FV-WE2 MSL BR25S320FV-WE2 储存器 8-SSOP-B 卷帶(TR) IC EEPROM 32KBIT SPI 8SSOPB 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:32Kb|記憶體組織:4K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT45DB041D-SU-SL955 MSL AT45DB041D-SU-SL955 储存器 8-SOIC 卷帶(TR) IC FLASH 4MBIT SPI 66MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256 位元組 x 2048 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:66 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL CY7C1314BV18-200BZC MSL CY7C1314BV18-200BZC 储存器 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY7C1314BV18-200BZXC MSL CY7C1314BV18-200BZXC 储存器 165-FBGA(13x15) 散裝 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL QS7026A-55J MSL QS7026A-55J 储存器 - 散裝 IC SRAM 256KBIT 18MHZ 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:16K x 16|記憶體介面:-|時鐘頻率:18 MHz|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:5V|工作溫度:0°C ~ 70°C
MSL CY7C1380KV33-250AXC MSL CY7C1380KV33-250AXC 储存器 100-TQFP(14x20) 託盤 IC SRAM 18MBIT PAR 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:2.6 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT40A1G8SA-062E AAT:E MSL MT40A1G8SA-062E AAT:E 储存器 78-FBGA(7.5x11) 託盤 IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR4|存儲容量:8Gb|記憶體組織:1G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:19 ns|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.26V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL MT40A512M16LY-062E AAT:E MSL MT40A512M16LY-062E AAT:E 储存器 96-FBGA(7.5x13.5) 託盤 IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR4|存儲容量:8Gb|記憶體組織:512M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:19 ns|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.26V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL BR93G86FV-3BGTE2 MSL BR93G86FV-3BGTE2 储存器 8-SSOP-B 卷帶(TR) IC EEPROM 16KBIT MIC WIRE 8SSOPB 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:1K x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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