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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL 93C56CT-I/MNY |
储存器 |
8-TDFN(2x3) |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8TDFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8,128 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:2ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL M3004316045NX0PTAR |
储存器 |
44-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC RAM 4MBIT PAR 44TSOPII |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C |
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MSL M3004316045NX0PTBR |
储存器 |
54-TSOP |
卷帶(TR) |
IC RAM 4MBIT PAR 54TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C |
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MSL AT25DF011-MAHN-Y |
储存器 |
8-UDFN(2x3) |
託盤 |
IC FLASH 1MBIT SPI 104MHZ 8UDFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8µs,3.5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL SST25PF040B-80-4C-QAE-T |
储存器 |
8-WSON(6x5) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 4MBIT SPI 80MHZ 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:80 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL AS7C513B-15TCN |
储存器 |
44-TSOP2 |
託盤 |
IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44TSOP2 |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:512Kb|記憶體組織:32K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL AS7C1025B-10TJCN |
储存器 |
32-SOJ |
管件 |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT |
储存器 |
168-WFBGA(12x12) |
託盤 |
IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA |
記憶體類型:非易失性,易失性|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:閃存 - NAND,移動 LPDRAM|存儲容量:4Gb(NAND),2Gb(LPDRAM)|記憶體組織:256M x 16(NAND),128M x 16(LPDRAM)|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:208 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT29C4G48MAYBBAMR-48 IT |
储存器 |
130-VFBGA(8x9) |
託盤 |
IC FLASH RAM 4GBIT PAR 130VFBGA |
記憶體類型:非易失性,易失性|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:閃存 - NAND,移動 LPDRAM|存儲容量:4Gb(NAND),2Gb(LPDRAM)|記憶體組織:512M x 8(NAND),64M x 32(LPDRAM)|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:208 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY62137FV30LL-55ZSXET |
储存器 |
44-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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