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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL IS46LQ16256BL-062BLA2 |
储存器 |
200-VFBGA(10x14.5) |
託盤 |
AUTOMOTIVE (TC: -40 TO +105C), 4 |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:LVSTL|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL IS65WV12816BLL-55TLA3-TR |
储存器 |
44-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL AS1C4M16PL-70BIN |
储存器 |
49-FBGA(4x4) |
託盤 |
IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 49FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC) |
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MSL 24AA08HT-I/OT |
储存器 |
SOT-23-5 |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 8KBIT I2C SOT23-5 |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:256 x 8 x 4|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT93C66B-SSHM-T |
储存器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 4KBIT 3-WIRE 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8,256 x 16|記憶體介面:3 線串口|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT45DB041E-SHN2B-T |
储存器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256 位元組 x 2048 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:85 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL CY7C1020B-12VXC |
储存器 |
44-SOJ |
管件 |
IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:512Kb|記憶體組織:32K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL BR93L76RFV-WE2 |
储存器 |
8-SSOP-B |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 8KBIT SPI 2MHZ 8SSOPB |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:512 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL M95160-DRMF3TG/K |
储存器 |
8-MLP(2x3) |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 16KBIT SPI 20MHZ 8MLP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL N24C02UVTG |
储存器 |
US8 |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 2KBIT I2C 1MHZ US8 |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:128 x 16|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:450 ns|電壓 - 供電:1.6V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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