储存器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL IS43TR82560DL-107MBL-TR MSL IS43TR82560DL-107MBL-TR 储存器 78-TWBGA(8x10.5) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL 71V3556SA166BGG MSL 71V3556SA166BGG 储存器 119-PBGA(14x22) 託盤 IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL EDB4064B4PB-1D-F-R TR MSL EDB4064B4PB-1D-F-R TR 储存器 216-WFBGA(12x12) 卷帶(TR) IC DRAM 4GBIT PAR 216WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:4Gb|記憶體組織:64M x 64|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.95V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC)
MSL AT45DB041E-SSHN-T MSL AT45DB041E-SSHN-T 储存器 8-SOIC 卷帶(TR) IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:264 位元組 x 2048 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:85 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL W25Q32JWUUIQTR MSL W25Q32JWUUIQTR 储存器 8-USON(4x3) 卷帶(TR) IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8USON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL BR93H86RF-2LBH2 MSL BR93H86RF-2LBH2 储存器 8-SOP 卷帶(TR) IC EEPROM 16KBIT MICROWIRE 8SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:1K x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL SST26VF020A-80E/MF MSL SST26VF020A-80E/MF 储存器 8-WDFN(5x6) 管件 IC FLASH 2MBIT SPI/QUAD 8WDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:80 MHz|寫週期時間 - 字,頁:1.5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL IS42S83200G-6TLI-TR MSL IS42S83200G-6TLI-TR 储存器 54-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AS4C128M16D3C-93BINTR MSL AS4C128M16D3C-93BINTR 储存器 96-FBGA(7.5x13) 卷帶(TR) DDR3, 2G, 128M X 16, 1.5V, 96-BA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.066 GHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL MX25V4006EZNI-13G MSL MX25V4006EZNI-13G 储存器 8-WSON(6x5) 託盤 IC FLASH 4MBIT SPI 79MHZ 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:79 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,1ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.35V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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