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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL AT25DF011-XMHN-T |
储存器 |
8-TSSOP |
卷帶(TR) |
IC FLASH 1MBIT SPI 104MHZ 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8µs,3.5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL MT48LC4M32LFB5-8:G TR |
储存器 |
90-VFBGA(8x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:4M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:125 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT48LC4M32B2B5-6:G TR |
储存器 |
90-VFBGA(8x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:4M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 93AA76CT-I/MC |
储存器 |
8-DFN(2x3) |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 8KBIT MICROWIRE 8DFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8,512 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 24FC64T-I/MS |
储存器 |
8-MSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8MSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT28HC256E-12JU |
储存器 |
32-PLCC(13.97x11.43) |
管件 |
IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL AT28HC256E-90SU |
储存器 |
28-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 256KBIT PAR 28SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL GD25LF32ENEGR |
储存器 |
8-USON(3x4) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8USON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs,4ms|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL GD25LE32EEEGR |
储存器 |
8-USON(3x2) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8USON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs,4ms|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL THGAMSG9T24BAIL |
储存器 |
153-BGA(11.5x13) |
託盤 |
IC FLASH 512GBIT EMMC 153FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:512Gb|記憶體組織:64G x 8|記憶體介面:eMMC_5.1|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-25°C ~ 85°C |
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