储存器

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MSL QS7025A-25J MSL QS7025A-25J 储存器 - 散裝 IC SRAM 128KBIT 40MHZ 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:8K x 16|記憶體介面:-|時鐘頻率:40 MHz|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:5V|工作溫度:0°C ~ 70°C
MSL QS7025A-25TF MSL QS7025A-25TF 储存器 - 散裝 IC SRAM 128KBIT 40MHZ 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:8K x 16|記憶體介面:-|時鐘頻率:40 MHz|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:5V|工作溫度:0°C ~ 70°C
MSL CY7C144-15AI MSL CY7C144-15AI 储存器 64-TQFP(14x14) 散裝 IC SRAM 64KBIT PARALLEL 64TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MX66U1G45GMJ00 MSL MX66U1G45GMJ00 储存器 16-SOP 管件 IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,DTR|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:60µs,790µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL MX66L1G55GXCI-10G MSL MX66L1G55GXCI-10G 储存器 24-CSPBGA(6x8) 託盤 IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 24CSPBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,DTR|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL FLXC2004G-30 MSL FLXC2004G-30 储存器 - 託盤 32GB LPDDR4/4X X32 -25C +85C 373 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:4GB(DRAM)|記憶體組織:1G x 32|記憶體介面:LPDDR4X|時鐘頻率:1866 MHz|寫週期時間 - 字,頁:535ps|訪問時間:-|電壓 - 供電:0.6V,1.1V|工作溫度:-25°C ~ 85°C
MSL S29GL256S10TFIV10 MSL S29GL256S10TFIV10 储存器 56-TSOP 散裝 IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT28HC256-12SU MSL AT28HC256-12SU 储存器 28-SOIC 管件 IC EEPROM 256KBIT PAR 28SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL AT28HC256E-12SU MSL AT28HC256E-12SU 储存器 28-SOIC 管件 IC EEPROM 256KBIT PAR 28SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL CY14B104NA-ZSP45XI MSL CY14B104NA-ZSP45XI 储存器 54-TSOP II 託盤 IC NVSRAM 4MBIT PAR 54TSOP II 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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