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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL QS7025A-25J |
储存器 |
- |
散裝 |
IC SRAM 128KBIT 40MHZ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:8K x 16|記憶體介面:-|時鐘頻率:40 MHz|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:5V|工作溫度:0°C ~ 70°C |
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MSL QS7025A-25TF |
储存器 |
- |
散裝 |
IC SRAM 128KBIT 40MHZ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:8K x 16|記憶體介面:-|時鐘頻率:40 MHz|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:5V|工作溫度:0°C ~ 70°C |
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MSL CY7C144-15AI |
储存器 |
64-TQFP(14x14) |
散裝 |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 64TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MX66U1G45GMJ00 |
储存器 |
16-SOP |
管件 |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,DTR|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:60µs,790µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL MX66L1G55GXCI-10G |
储存器 |
24-CSPBGA(6x8) |
託盤 |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 24CSPBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,DTR|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL FLXC2004G-30 |
储存器 |
- |
託盤 |
32GB LPDDR4/4X X32 -25C +85C 373 |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:4GB(DRAM)|記憶體組織:1G x 32|記憶體介面:LPDDR4X|時鐘頻率:1866 MHz|寫週期時間 - 字,頁:535ps|訪問時間:-|電壓 - 供電:0.6V,1.1V|工作溫度:-25°C ~ 85°C |
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MSL S29GL256S10TFIV10 |
储存器 |
56-TSOP |
散裝 |
IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT28HC256-12SU |
储存器 |
28-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 256KBIT PAR 28SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL AT28HC256E-12SU |
储存器 |
28-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 256KBIT PAR 28SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL CY14B104NA-ZSP45XI |
储存器 |
54-TSOP II |
託盤 |
IC NVSRAM 4MBIT PAR 54TSOP II |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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