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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL IS25LP016D-JKLE |
储存器 |
8-WSON(6x5) |
託盤 |
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:800µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL 25AA640X-I/ST |
储存器 |
8-TSSOP |
管件 |
IC EEPROM 64KBIT SPI 1MHZ 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 24FC128-I/MNY |
储存器 |
8-TDFN(2x3) |
管件 |
IC EEPROM 128KBIT I2C 8TDFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C1370DV25-250AXC |
储存器 |
100-TQFP(14x20) |
託盤 |
IC SRAM 18MBIT PAR 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:2.6 ns|電壓 - 供電:2.379V ~ 2.625V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY7C1318KV18-250BZXC |
储存器 |
165-FBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:1M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL DS1230YP-70 |
储存器 |
34-PowerCap 模块 |
管件 |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL AT29BV040A-25JI |
储存器 |
32-PLCC(13.97x11.43) |
管件 |
IC FLASH 4MBIT PARALLEL 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ms|訪問時間:250 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL GD25B32ETAGR |
储存器 |
8-SOP |
卷帶(TR) |
IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOP |
記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL GD25LQ16ENAGR |
储存器 |
8-USON(3x4) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8USON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs,4ms|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2.1V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL MT53E512M32D2NP-053 RS WT:H TR |
储存器 |
200-WFBGA(10x14.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 16GBIT 200WFBGA |
記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:16Gb|記憶體組織:512M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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