储存器

储存器

來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL IS25LP016D-JKLE MSL IS25LP016D-JKLE 储存器 8-WSON(6x5) 託盤 IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:800µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL 25AA640X-I/ST MSL 25AA640X-I/ST 储存器 8-TSSOP 管件 IC EEPROM 64KBIT SPI 1MHZ 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 24FC128-I/MNY MSL 24FC128-I/MNY 储存器 8-TDFN(2x3) 管件 IC EEPROM 128KBIT I2C 8TDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1370DV25-250AXC MSL CY7C1370DV25-250AXC 储存器 100-TQFP(14x20) 託盤 IC SRAM 18MBIT PAR 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:2.6 ns|電壓 - 供電:2.379V ~ 2.625V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY7C1318KV18-250BZXC MSL CY7C1318KV18-250BZXC 储存器 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:1M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL DS1230YP-70 MSL DS1230YP-70 储存器 34-PowerCap 模块 管件 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AT29BV040A-25JI MSL AT29BV040A-25JI 储存器 32-PLCC(13.97x11.43) 管件 IC FLASH 4MBIT PARALLEL 32PLCC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ms|訪問時間:250 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL GD25B32ETAGR MSL GD25B32ETAGR 储存器 8-SOP 卷帶(TR) IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOP 記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL GD25LQ16ENAGR MSL GD25LQ16ENAGR 储存器 8-USON(3x4) 卷帶(TR) IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8USON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs,4ms|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2.1V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL MT53E512M32D2NP-053 RS WT:H TR MSL MT53E512M32D2NP-053 RS WT:H TR 储存器 200-WFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 16GBIT 200WFBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:16Gb|記憶體組織:512M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-

在线留言

  • *
  • *
  • *
  • *
  • *
  • *为必填项