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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL CY7B139-35JC |
储存器 |
68-PLCC(24.23x24.23) |
散裝 |
IC SRAM 36KBIT PARALLEL 68PLCC |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:36Kb|記憶體組織:4K x 9|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL QS7024A-20TF |
储存器 |
- |
散裝 |
IC SRAM 64KBIT 50MHZ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:4K x 16|記憶體介面:-|時鐘頻率:50 MHz|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:5V|工作溫度:0°C ~ 70°C |
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MSL 24FC128-I/SM |
储存器 |
8-SOIJ |
管件 |
IC EEPROM 128KBIT I2C 8SOIJ |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 93LC46/P |
储存器 |
8-PDIP |
管件 |
IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8DIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8,64 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL AT25040A-10TQ-2.7 |
储存器 |
8-TSSOP |
散裝 |
IC EEPROM 4KBIT SPI 20MHZ 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL R1EX24008ATA00A#S0 |
储存器 |
- |
散裝 |
EEPROM, 1KX8, SERIAL |
記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL 24C02CT-E/SN |
储存器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 2KBIT I2C 100KHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:100 kHz|寫週期時間 - 字,頁:1.5ms|訪問時間:3.5 µs|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL BR24G64NUX-3TTR |
储存器 |
VSON008X2030 |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 64KBIT VSON008X2030 |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.6V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT49F001-70PC |
储存器 |
32-PDIP |
管件 |
IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:50µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC) |
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MSL AT29C040A-15PI |
储存器 |
32-PDIP |
管件 |
IC FLASH 4MBIT PARALLEL 32DIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:150 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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