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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL 47L04-I/SN |
储存器 |
8-SOIC |
管件 |
IC EERAM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EERAM|技術:EEPROM,SRAM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:1ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT25SF321B-SSHB-T |
储存器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL NV25010DWHFT3G |
储存器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 1KBIT SPI 10MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:-|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:40 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TA) |
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MSL 24AA02T-I/MC |
储存器 |
8-DFN(2x3) |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8DFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL GD25Q80CEIGR |
储存器 |
8-USON(2x3) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8USON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:120 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,2.4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MX25L1606EM2I-12G |
储存器 |
8-SOP |
管件 |
IC FLASH 16MBIT SPI 86MHZ 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:86 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 93C56-I/SM |
储存器 |
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散裝 |
IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 2MHZ |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8,128 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:2ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY62126DV30LL-70ZXI |
储存器 |
44-TSOP II |
散裝 |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C026A-20AC |
储存器 |
100-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:16K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT54V512H18E1F-5 |
储存器 |
165-FBGA(13x15) |
散裝 |
IC SRAM 9MBIT HSTL 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步|存儲容量:9Mb|記憶體組織:512K x 18|記憶體介面:HSTL|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.4V ~ 2.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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