储存器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL W35N02JWTBIC MSL W35N02JWTBIC 储存器 24-TFBGA(8x6) 託盤 IC FLASH 2GBIT SPI/OCT 24TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:SPI - 八 I/O|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT49F001-55JI MSL AT49F001-55JI 储存器 32-PLCC(13.97x11.43) 管件 IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32PLCC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:50µs|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL 24C02/P MSL 24C02/P 储存器 8-PDIP 散裝 IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY62127DV30LL-70BVXI MSL CY62127DV30LL-70BVXI 储存器 48-VFBGA(6x8) 散裝 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS43LQ32128AL-062TBLI-TR MSL IS43LQ32128AL-062TBLI-TR 储存器 200-TFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 4GBIT LVSTL 200TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:4Gb|記憶體組織:128M x 32|記憶體介面:LVSTL|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL IS43LQ32128A-062TBLI-TR MSL IS43LQ32128A-062TBLI-TR 储存器 200-TFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 4GBIT LVSTL 200TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:4Gb|記憶體組織:128M x 32|記憶體介面:LVSTL|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL M24C04-RMN6TP MSL M24C04-RMN6TP 储存器 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 4KBIT I2C 400KHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT24CS32-MAHM-E MSL AT24CS32-MAHM-E 储存器 8-UDFN(2x3) 卷帶(TR) IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8UDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:32Kb|記憶體組織:4K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:550 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL BR93G56FVT-3AGE2 MSL BR93G56FVT-3AGE2 储存器 8-TSSOP-B 卷帶(TR) IC EEPROM 2KBIT SPI 3MHZ 8TSSOPB 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:128 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S-34C04AB-A8T3U5 MSL S-34C04AB-A8T3U5 储存器 8-DFN(2x3) 卷帶(TR) IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8DFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 3.6V|工作溫度:-20°C ~ 125°C(TA)

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