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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL 25LC080D-I/SN |
储存器 |
8-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 8KBIT SPI 10MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 24LC64-E/ST |
储存器 |
8-TSSOP |
管件 |
IC EEPROM 64KBIT I2C 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL W66BP6NBUAFJ |
储存器 |
200-WFBGA(10x14.5) |
託盤 |
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:LVSTL_11|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL W66BQ6NBUAFJ |
储存器 |
200-WFBGA(10x14.5) |
託盤 |
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:LVSTL_11|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL W35N02JWTBIF |
储存器 |
24-TFBGA(8x6) |
託盤 |
IC FLASH 2GBIT SPI/OCT 24TFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:SPI - 八 I/O|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT25640N-10SC-1.8 |
储存器 |
8-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 64KBIT SPI 3MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL AT25QL321-MBUE-T |
储存器 |
8-USON(3x4) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8USON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:150µs,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S25FL032P0XBHI030 |
储存器 |
24-BGA(6x8) |
託盤 |
IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 24BGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C1061GN30-10BV1XI |
储存器 |
48-VFBGA(6x8) |
託盤 |
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C1305TV25-167BZXC |
储存器 |
165-FBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR|存儲容量:18Mb|記憶體組織:1M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.4V ~ 2.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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