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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL CAT25640VI-GT3 |
储存器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CAT25640YI-GT3 |
储存器 |
8-TSSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 64KBIT SPI 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS64WV3216BLL-15CTLA3-TR |
储存器 |
44-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC SRAM 512KBIT PAR 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:512Kb|記憶體組織:32K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL IS45S32200L-7TLA2-TR |
储存器 |
86-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:2M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL CY7C09269V-12AXC |
储存器 |
100-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 256KBIT 12NS 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:16K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:50 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY15V108QI-20LPXC |
储存器 |
8-GQFN(3,23x3,28) |
託盤 |
IC FRAM 8MBIT SPI 20MHZ 8GQFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.71V ~ 1.89V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL LE25S81QETXG |
储存器 |
8-VDFN/VSONT(5x6) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 8MBIT SPI 8VDFN/VSONT |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:40 MHz|寫週期時間 - 字,頁:500µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 90°C(TA) |
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MSL LE25FU106PBLQ-TLM-H |
储存器 |
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散裝 |
S-FLASH MEMORY(1M) |
記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL S29GL01GS11FHSS20 |
储存器 |
64-FBGA(13x11) |
託盤 |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:110 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S29GL01GS11FAIV20 |
储存器 |
64-FBGA(13x11) |
託盤 |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:110 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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