储存器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL AT25XE512C-SSHN-T MSL AT25XE512C-SSHN-T 储存器 8-SOIC 卷帶(TR) IC FLASH 512KBIT SPI 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:12µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL S29GL01GS11TFIV23 MSL S29GL01GS11TFIV23 储存器 56-TSOP 卷帶(TR) IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:110 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S29GL01GS10TFI023 MSL S29GL01GS10TFI023 储存器 56-TSOP 卷帶(TR) IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MX25L8006EM2I-12G MSL MX25L8006EM2I-12G 储存器 8-SOP 管件 IC FLASH 8MBIT SPI 86MHZ 8SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:86 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W25X20CLUXIG TR MSL W25X20CLUXIG TR 储存器 8-USON(2x3) 卷帶(TR) IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8USON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:800µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT27C256R-70TI MSL AT27C256R-70TI 储存器 28-TSOP 託盤 IC EPROM 256KBIT PARALLEL 28TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL W25Q32JWSNIM TR MSL W25Q32JWSNIM TR 储存器 8-SOIC 卷帶(TR) IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL DS1245Y-100 MSL DS1245Y-100 储存器 32-EDIP 管件 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:100ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY14B104N-BA45XI MSL CY14B104N-BA45XI 储存器 48-FBGA(6x10) 管件 IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S29GL01GS10TFI013 MSL S29GL01GS10TFI013 储存器 56-TSOP 卷帶(TR) IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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