储存器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL IS42S16100C1-7BLI-TR MSL IS42S16100C1-7BLI-TR 储存器 60-TFBGA(6.4x10.1) 卷帶(TR) IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY62147GN30-45BVXIT MSL CY62147GN30-45BVXIT 储存器 48-VFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 25AA010A-I/MS MSL 25AA010A-I/MS 储存器 8-MSOP 管件 IC EEPROM 1KBIT SPI 10MHZ 8MSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 25AA02E64-I/SN MSL 25AA02E64-I/SN 储存器 8-SOIC 管件 IC EEPROM 2KBIT SPI 10MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W25N04KWTCIR MSL W25N04KWTCIR 储存器 24-TFBGA(8x6) 託盤 IC FLASH 4GBIT SPI/QUAD 24TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:700µs|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W25N04KWTCIU MSL W25N04KWTCIU 储存器 24-TFBGA(8x6) 託盤 IC FLASH 4GBIT SPI/QUAD 24TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:700µs|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL TH58NVG3S0HTAI0 MSL TH58NVG3S0HTAI0 储存器 48-TSOP I 託盤 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:8Gb|記憶體組織:1G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7B135-35JI MSL CY7B135-35JI 储存器 52-PLCC(19.13x19.13) 散裝 IC SRAM 32KBIT PARALLEL 52PLCC 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:32Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY14U256LA-BA35XI MSL CY14U256LA-BA35XI 储存器 48-FBGA(6x10) 託盤 IC NVSRAM 256KBIT PAR 48FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY62146GN30-45BVXIT MSL CY62146GN30-45BVXIT 储存器 48-VFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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