储存器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL DS1250Y-70IND+ MSL DS1250Y-70IND+ 储存器 32-EDIP 管件 IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT25010AN-10SQ-2.7 MSL AT25010AN-10SQ-2.7 储存器 8-SOIC 散裝 IC EEPROM 1KBIT SPI 20MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL UPD43256BGU-70Y-E2 MSL UPD43256BGU-70Y-E2 储存器 28-SOP 散裝 STANDARD SRAM, 32KX8, 70NS 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 單端口,非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 93LC46AT-I/ST MSL 93LC46AT-I/ST 储存器 8-TSSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:6ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT25020B-MAHL-E MSL AT25020B-MAHL-E 储存器 8-UDFN(2x3) 卷帶(TR) IC EEPROM 2KBIT SPI 20MHZ 8UDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT27C512R-12TI MSL AT27C512R-12TI 储存器 28-TSOP 託盤 IC EPROM 512KBIT PARALLEL 28TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL AT27C512R-12TC MSL AT27C512R-12TC 储存器 28-TSOP 託盤 IC EPROM 512KBIT PARALLEL 28TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC)
MSL S-93A56BD0A-A8T1U3 MSL S-93A56BD0A-A8T1U3 储存器 HSNT-8-A 卷帶(TR) IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE HSNT8A 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:128 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL S-93C76CD0H-A8T1U3 MSL S-93C76CD0H-A8T1U3 储存器 HSNT-8-A 卷帶(TR) IC EEPROM 8KBIT MICRWIRE HSNT8A 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:512 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.6V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL DS1250Y-70+ MSL DS1250Y-70+ 储存器 32-EDIP 管件 IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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